NuFlare科技的主要产品
世界一流的尖端技术
领先优势
#01
电子束掩模绘图装置
电子束掩模写入系统(EBM)绘制“光掩模”,该“光掩模”充当在半导体器件生产过程中将计算机上设计的半导体元件电路转移到硅晶片上的模板。随着LSI芯片集成度的提高,使用电子束掩模写入设备的写入在20世纪70年代末开始实用化,以形成更精细的图案,现在已成为掩模制造设备的主流。 NuFlare Technology 的设备能够进行高精度绘图,可以击中从东京塔到富士山顶的 16 毫米目标。

关键技术
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高速、高精度控制技术
电子束掩模写入系统使用电子枪产生的电子束在光掩模上形成电路图案。为了形成复杂的电路图案,光掩模的位置精度需要达到纳米量级。高速、高精度的电路技术和电气控制技术使得形成高产量、高质量的半导体电路图案成为可能。
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超精密机械控制技术
在电子束掩模写入设备中,需要抑制机械振动的振动分量,以免对图案位置精度产生不利影响。我们开发并实用了最高水平的超精密平台和最佳机械控制技术,使得抑制亚纳米级的相对低频振动成为可能。我们开发并实用了一种光束跟踪技术,该技术通过将激光干涉仪信号反馈到电子束偏转控制机构来控制电子束。
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大容量信息处理技术
在我们公司,我们开发并投入实际使用的技术,可以使用最先进的处理器并行处理 TB 级的大量数据并执行高速计算。表达电路图案所需的图形数据量与最新HDD的容量相当,但现在可以在几个小时内完成将其顺序传递到电子束偏转控制机构的过程,而不会出现任何错误。
领先优势
#02
口罩检测设备
掩模检测设备可快速检查用电子束掩模写入设备绘制的光掩模中的缺陷,有助于提高半导体产量。光掩模上绘制的电路图案变得越来越详细和复杂,检查设备的重要性逐年增加。本公司于2006年开始开展掩模检查设备业务,利用与电子束掩模写入设备相同的数据实现了高度可靠的检查,并通过功能协作实现了系统化。配备199nm激光器作为检查光源。我们引入了光学技术,可同时从掩模上方和下方照射透射光和反射光,并将检测到的图像反射到传感器上,实现高灵敏度并缩短检查时间。

关键技术
先进光学技术/测量技术
首先,掩模检测设备需要技术来处理非常微小的光学元件,这些光学元件是肉眼看不见的,约为纳米级。我们还将开发能够处理高能光源的高度耐用的镜头。将实际图像与CAD数据图像进行匹配时,获取坐标的测量技术也很重要。此外,与电子束掩模写入设备一样,需要高精度移动的平台,并且控制图像处理算法的软件也是必需的。
领先优势
#03
外延生长设备
外延生长是一种在硅或其他材料制成的晶片上生长具有均匀晶体取向的单晶薄膜的技术。外延生长设备就是用于此目的。该设备对于制造 LED 等半导体以及混合动力和电动汽车的功率器件至关重要。自 1980 年以来,我们已经进行了 30 多年的制造和销售,并于 2013 年将用于 LED 的 GaN-on-Si 的 MOCVD 设备商业化。 2014年,我们实现了SiC器件薄膜沉积系统的商业化。我们的设备以其高生产率和整体设备完善性而获得世界各地的认可。

关键技术
高均匀高速薄膜晶体生长技术
使用我们的外延生长设备,可以通过以约500至1500rpm的高速旋转基板来均匀地沉积薄膜。通过高速旋转,供应的气体被吸引到基板上,从而导致薄膜更快地生长。通过“高度均匀的温度控制技术”、“高速旋转控制技术”、“供给气体控制技术”三要素,实现高度均匀、高速的薄膜晶体生长。