易游yy体育 EPIREVO™ S6 150mm单晶圆SiC外延生长设备
EPIREVO™ S6 6” 单晶圆
SiC 外延反应器
EPIREVO™ S6 具有可兼容 150 mm 晶圆的大直径、50 μm/h 或以上的高速成膜以及通过机器人进行高温晶圆运输的高生产率,有助于降低比传统 Si 功率半导体昂贵的 SiC 功率半导体的成本和提高质量。
功能
高生产力
- 可实现膜厚150 µm的连续生长
- 实现超过50μm/小时的高速生长
- 每小时4片的产量相当于10 µm SiC外延成膜
出色的面内温度分布
- 100mm晶圆1℃以下
- 150mm晶圆2℃以下
高品质
- 优异的均匀性,膜厚分布小于2%(EE=3mm),掺杂剂浓度小于4%(EE=6mm)
- 低缺陷密度低于002/cm-2
机器人自动运输
- 晶圆盒到晶圆盒的晶圆处理