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易游yy体育 EPIREVO™ S6 150mm单晶圆SiC外延生长设备

EPIREVO™ S6 6” 单晶圆
SiC 外延反应器

EPIREVO S6 150mm单晶圆SiC外延生长设备

EPIREVO™ S6 具有可兼容 150 mm 晶圆的大直径、50 μm/h 或以上的高速成膜以及通过机器人进行高温晶圆运输的高生产率,有助于降低比传统 Si 功率半导体昂贵的 SiC 功率半导体的成本和提高质量。

功能

高生产力

  • 可实现膜厚150 µm的连续生长
  • 实现超过50μm/小时的高速生长
  • 每小时4片的产量相当于10 µm SiC外延成膜

出色的面内温度分布

  • 100mm晶圆1℃以下
  • 150mm晶圆2℃以下

高品质

  • 优异的均匀性,膜厚分布小于2%(EE=3mm),掺杂剂浓度小于4%(EE=6mm)
  • 低缺陷密度低于002/cm-2

机器人自动运输

  • 晶圆盒到晶圆盒的晶圆处理
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