yy易游体育app EPIREVO™ G8 200mm 单晶圆硅基氮化镓 MOCVD 设备
EPIREVO™ G8 8” 单晶圆
硅基氮化镓 MOCVD
EPIREVO™ G8 是一种 MOCVD 设备,可通过在 200 毫米硅基板上快速沉积高质量 GaN 来帮助降低发光二极管 (LED) 的成本。
功能
高生产力
- 9微米/小时或更高的GaN薄膜的快速生长是可能的
- 可实现200℃/分钟以上的高速升温
高品质
- 200mm 晶圆上 2 度以内的出色温度分布
- 1100℃无滑移、无硅回熔
低成本
- TMG 利用率高达 20% 以上
- 通过原位清洁实现高可用性