易游yy体育 外延生长设备
高质量外延膜的高速生长成为可能单晶圆式高速旋转外延生长设备
功能
核心技术
垂直气流与高速晶圆旋转相结合，在晶圆上形成极薄且均匀的浓度边界层(*)。
薄的浓度边界层使得原料气体更容易被吸入，并且由于离心力也使得副产物气体更容易排出。
- （※） 浓度边界层是指晶片表面发生沉积反应的厚度方向区域。
高速晶圆旋转的优点
增长率随着旋转速度的增加而增加
随着转速增加，原料气体利用效率提高，结果，外延膜的生长速率也增加。
（来源）我们的研究 (HT2000FD)
通过使晶片高速旋转，可以提高炉内原料气体的输送效率，并且可以提高到达晶片表面的原料气体的浓度。
结果，无需增加原料气体的使用量即可提高生长速度。
设备规格 (HT2000FD)
| 晶圆尺寸 | 200mmφ |
|---|---|
| 加热方式 | 背面电阻加热 |
| 过程温度 | 800～1,150℃ |
| 晶圆旋转速度 | 300～900rpm |
| 压力 | 93(700)～133(100)kPa(托) |
| 使用的气体类型 | SiHCl3、SiH2Cl2、H2、HCl |
| 外部尺寸（主体） | 1,396mm(宽) × 2,276mm(深) × 2,350mm(高) |
| 设备重量（主体） | 大约。 2,300公斤 |
开发路线图
外延生长设备是以气体控制技术为核心技术，在硅片、SiC片上生长硅、GaN、SiC等单晶的设备。我们开发了Si外延生长装置“HT2000FD”的高速旋转技术，并推出了GaN on Si外延生长装置“EPIREVO™ G8”和SiC外延生长装置“EPIREVO™ S6”和“EPIREVO™ S8”。 *目前，“HT2000FD”已停止生产和销售（仅提供维护服务）。
