yy易游体育app 电子束掩模绘图装置

电子束掩模刻写设备是以电子束刻写控制技术为核心技术，集精密机械控制、大规模数据处理、激光测量技术等先进基础技术于一体的设备。

功能

关键技术

从 Nano 到 Terra

电子束掩模写入设备是汇集了物理、电气/电子工程、机械工程、控制工程、信息处理工程、测量工程、化学等多种技术的系统设备。电子束掩模写入设备可以说是综合了各种尖端技术的复杂技术的巅峰之作。

从以“纳米（十亿分之一）”为代表的微型化技术到达到“tera”（一万亿）的海量数据处理技术。秉承挑战精神，以“Bridge to the Future”为口号，NuFlare科技将实现我们的梦想，为半导体产业、社会和人类的发展做出贡献。

高速、高精度控制技术

高速高精度控制技术 - 2秒内用1日元硬币覆盖一个足球场！？

电子束掩模写入设备利用电子源产生的电子束在光掩模上形成电路图案，其原理与电视阴极射线管相同。电子束掩模写入设备精确定位电子束点以形成复杂的电路图案。此时，光掩模上的位置精度要求为纳米量级。

如果比较定位精度和定位速度，相当于在足球场上铺放20毫米直径1日元硬币的精度和速度，误差小于02毫米，2秒内不漏掉一枚。

高速、高精度的电路技术和电气控制技术首次使得以高产量形成高质量的半导体电路图案成为可能。

超精密机器控制技术

纳米级超精密机械控制技术——终极防抖！？

在电子束掩模写入设备中，光掩模放置在可在平面内移动的平台上，在连续移动的同时绘制电路图案。该平台使用来自称为激光干涉仪的精密传感器的位置信息进行反馈控制。

移动重达数十公斤的平台时，会发生机械振动。机械振动包括可通过机械控制抑制的相对低频振动和难以机械跟踪的高频振动。在书写设备中，必须抑制这两个振动分量，以免对图案位置精度产生不利影响。我们开发并实用了最高水平的超精密平台和最佳机械控制技术，使得抑制亚纳米级的相对低频振动成为可能。此外，为了抑制亚纳米级机器无法跟踪的高频振动，我们开发了将激光干涉仪的信号反馈到电子束偏转控制机构的光束跟踪技术，并将其投入实际应用。通过组合这些控制，可以在亚纳米级别控制从电子束看到的平台位置，就好像它具有防抖功能一样。

大容量信息处理技术

万亿级大容量信息处理技术——极致可靠性技术！？

半导体的小型化极大地提高了处理器和内存的性能，计算机的处理能力取得了显着的进步。

随着半导体集成密度的增加，使用电子束掩模写入设备写入电路图案所需的数据量变得巨大。此外，防止密集图案之间相互干扰的校正信息是增加数据量的另一个因素。当从LSI电路设计数据生成绘图数据时，数据量达到TB级（Tera = 1万亿）。在 NuFlare Technology，我们正在开发和商业化使用尖端处理器并行处理 TB 级大量数据并执行高速计算的技术。表达电路图案所需的图形数据量与最新HDD的容量相当，但现在可以在几个小时内完成将其顺序传递到电子束偏转控制机构的过程，而不会出现任何错误。可以说，需要极致的可靠性，万亿数字暴露，不允许有任何错误。预计未来数据量将呈爆炸式增长，我们将继续开发数据以实现更快的处理速度。

主要奖项

我们的员工奖项

2012年大河内纪念制作奖
年、月、日	2013 年 3 月 22 日
姓名	2012年大河内纪念制作奖
成就名称	“LSI母版制作电子束光刻设备的开发与实际应用”
组织组织	大河内纪念协会

2008年关东地区发明奖、发明鼓励奖
月/年	2008 年 11 月 5 日
姓名	2008年关东地方发明奖、发明鼓励奖
成就名称	“通过减少雾气来提高电子束光刻的精度”
组织组织	发明协会东京分会

2007年度文部科学大臣表彰/科学技术奖（开发类）（前科学技术贡献者）
年/月/日	2007 年 4 月 17 日
姓名	2007年度文部科学大臣表彰/科学技术奖（开发类）（原科学技术人物）
成就名称	电子束掩模写入设备邻近效应校正技术的开发
组织组织	文部科学省

2006年国家发明奖、经济产业大臣发明奖
日期	2006 年 6 月 19 日
姓名	2006年国家发明奖、经济产业大臣发明奖
成就名称	电子束光刻设备邻近效应校正技术的发明
组织组织	日本发明协会

员工撰写的主要学术论文列表

电子多束掩模刻录机的最新进展和未来
公告年份	2023
论文名称	电子多束掩膜刻录机的最新进展和未来
演示目的地	日本应用物理学杂志，卷。 62、SG0803（2023）

多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中电阻表面电荷物理模型的研究
公告年份	2021
论文名称	多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中电阻表面电荷物理模型的研究
演示目的地	微/纳米图案、材料与计量学杂志，卷。 20, 041404 (2021)

多光束掩模写入器MBM-1000
公告年份	2018
论文名称	多光束掩模写入器MBM-1000
演示目的地	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 17, 031205 (2018)

修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果
公告年份	2016
论文名称	修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果
演示目的地	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 15, 021012 (2016)

考虑抗蚀剂开发过程的掩模写入的邻近效应校正
公告年份	2009
论文名称	考虑抗蚀剂显影过程的掩模写入的邻近效应校正
演示目的地	日本应用物理学杂志，第 48 卷，095004 (2009)

30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术（日语）
公告年份	2009
论文名称	30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术（日语）
演示目的地	日本研磨技术学会会刊，卷。 53, 340 (2009)

考虑抗蚀剂显影过程的掩模写入的邻近效应校正
公告年份	2009
论文名称	考虑抗蚀剂显影过程的掩模写入的邻近效应校正
演示目的地	日本应用物理学杂志，第 48 卷，095004 (2009)

大规模集成电路制造工艺中出现的关键尺寸误差的高精度校正：基于图案的模型
公告年份	2009
论文名称	大规模集成电路制造工艺中出现的关键尺寸误差的高精度校正：基于图案的模型
演示目的地	日本应用物理学杂志，第48卷，046508

考虑大规模集成电路制造工艺的顺序，对关键尺寸误差进行高精度校正
公告年份	2008
论文名称	考虑大规模集成电路制造工艺的顺序，对关键尺寸误差进行高精度校正
演示目的地	微纳光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，第 7 卷，043008

精确修正LSI制造工艺中出现的关键尺寸误差
公告年份	2008
论文名称	精确修正LSI制造工艺中出现的关键尺寸误差
演示目的地	微纳光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，第 7 卷，023006

全局临界尺寸校正：一、雾化效应校正
公告年份	2007
论文名称	全局临界尺寸校正：一、雾化效应校正
演示目的地	日本应用物理学杂志，第 46 卷，3359 (2007)

全局临界尺寸校正：II
雾化效果校正
公告年份	2007
论文名称	全局临界尺寸校正：II 雾化效果校正
演示目的地	日本应用物理学杂志，第 46 卷，3368 (2007)

掩模写入的高精度邻近效应校正
公告年份	2007
论文名称	掩模写入的高精度邻近效应校正
演示目的地	日本应用物理学杂志，第 46A 卷，第 826 页

我们员工的其他作品

电子/离子束手册（第 4 版），日刊工业新闻（撰稿人）
出版年份	2021
名称	电子/离子束手册（第 4 版），日刊工业新闻（撰稿人）
类型	预订

“我们公司是最好的！”，《真空杂志》2019 年 7 月号，日本真空工业协会
出版年份	2019
名称	“我们公司是最好的！”，《真空杂志》2019 年 7 月号，日本真空工业协会
类型	采访文章

“在全球拥有压倒性市场份额的电子束掩模光刻系统”、“NEDO网络杂志实际应用文献”、新能源产业技术综合开发机构
出版年份	2012
名称	“在世界上占有压倒性份额的电子束掩模光刻系统”、“NEDO网络杂志实际应用文献”、新能源产业技术综合开发机构
类型	采访文章

“半导体精细图案化〜超越极限的后光学光刻技术〜”，NTS（贡献者）
出版年份	2010
名称	“半导体精细图案化〜超越极限的后光学光刻技术〜”，NTS（贡献者）
类型	预订

“技术之树如何生长？想象力思维，技术创新领域，第8期“阻碍LSI未来的电子散射现象：通过简化复杂问题实现邻近效应校正”，“Erekiteru”，东芝公共关系办公室
出版年份	2007-2008
名称	“技术之树如何生长？想象力思维，技术创新领域，第8期“阻碍LSI未来的电子散射现象：通过简化复杂问题实现邻近效应校正”，“Erekiteru”，东芝公共关系办公室
类型	采访文章

“如何发明：采访国家发明奖获得者，2006年经济产业大臣发明奖获得者：电子束光刻装置的邻近效应校正技术的发明”，“发明”，日本发明与创新研究所
出版年份	2006
名称	“如何发明：采访国家发明奖获得者，2006年经济产业大臣发明奖获得者，电子束光刻装置的邻近效应校正技术的发明”，“发明”，日本发明与创新研究所
类型	采访文章

“ULSI 的亚半微米光刻”，剑桥大学出版社（撰稿人）
出版年份	2000
名称	“ULSI 的亚半微米光刻”，剑桥大学出版社（撰稿人）
类型	预订

电子/离子束手册（第 3 版），日刊工业新闻（撰稿人）
负责第152节邻近效应及其修正
出版年份	1998
名称	电子/离子束手册（第 3 版），日刊工业新闻（撰稿人）负责第152节邻近效应及其修正
类型	预订

我们的员工奖项
年/月/日	名称	成就名称	赞助组织
2013 年 3 月 22 日	2012年大河内纪念制作奖	“LSI母版制作电子束光刻设备的开发与实际应用”	大河内纪念协会
2008 年 11 月 5 日	2008年关东地方发明奖、发明鼓励奖	“通过减少雾气提高电子束光刻的精度”	发明协会东京分会
2007 年 4 月 17 日	2007年度文部科学大臣表彰/科学技术奖（开发类）（原科学技术贡献者）	电子束掩模写入设备邻近效应校正技术的开发	文部科学省
2006 年 6 月 19 日	2006年国家发明奖、经济产业大臣发明奖	电子束光刻设备邻近效应校正技术的发明	日本发明协会

我们员工撰写的主要学术论文列表
公告年份	论文名称	演示目的地
2023	电子多束掩膜刻录机的最新进展和未来	日本应用物理学杂志，卷。 62、SG0803（2023）
2021	多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中电阻表面电荷物理模型的研究	微/纳米图案、材料与计量学杂志，卷。 20, 041404 (2021)
2018	多光束掩模写入器MBM-1000	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 17, 031205 (2018)
2016	修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 15, 021012 (2016)
2009	考虑抗蚀剂显影过程的掩模写入的邻近效应校正	日本应用物理学杂志，第 48 卷，095004 (2009)
2009	30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术（日语）	日本研磨技术学会会刊，卷。 53, 340 (2009)
2009	大规模集成电路制造过程中出现的关键尺寸误差的高精度校正：基于图案的模型	日本应用物理学杂志，第 48 卷，046508 (2009)
2008	考虑大规模集成电路制造工艺的顺序，对关键尺寸误差进行高精度校正	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 7、043008(2008)
2008	精确修正LSI制造工艺中出现的关键尺寸误差	微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志，卷。 7、023006(2008)
2007	全局临界尺寸校正：一、雾化效应校正	日本应用物理学杂志，第 46 卷，3359 (2007)
2007	全局临界尺寸校正：II	日本应用物理学杂志，第 46 卷，3368 (2007)
2007	掩模写入的高精度邻近效应校正	日本应用物理学杂志，第 46 卷，826 (2007)

我们员工的其他作品
公告年份	名称	类型
2021	《电子/离子束手册（第 4 版）》，日刊工业新闻（撰稿人）	预订
2019	“我们公司是最好的！”，《真空杂志》2019 年 7 月号，日本真空工业协会	采访文章
2012	“在世界上占有压倒性份额的电子束掩模光刻系统”，“NEDO网络杂志实际应用文档”，新能源和产业技术开发组织	采访文章
2010	“半导体精细图案化〜超越极限的后光学光刻技术〜”，NTS（合著者）	预订
2007-2008	“技术之树如何生长？想象力思维，技术创新领域，第8号“阻碍LSI未来的电子散射现象：通过简化复杂问题实现邻近效应校正”，“Erekiteru”，东芝公共关系办公室	采访文章
2006	“如何发明：采访国家发明奖获得者，2006年经济产业大臣发明奖获得者，电子束光刻装置的邻近效应校正技术的发明”，“发明”，日本发明研究所	采访文章
2000	“ULSI 的亚半微米光刻”，剑桥大学出版社（撰稿人）	预订
1998	《电子/离子束手册（第 3 版）》，日刊工业新闻（撰稿人）	预订

开发路线图

多电子束掩模光刻系统是兼容尖端技术节点的光掩模光刻系统，可高速、高精度控制超过26万束电子束，实现高通量、高精度光掩模制造。

MBM™-2000支持3nm节点一代光掩模的量产，MBM™-2000PLUS支持3nm+节点一代光掩模的量产。

EBM系列电子束掩模光刻系统是单束光刻系统，通过采用可变形状光束系统、可变级速度控制系统和高电流密度电子源来实现高COO（拥有成本）。

EBM-9500PLUS电流密度为1200A/cm²电子源支持7+/5nm节点世代，EBM-9500支持7nm节点世代，EBM-9000支持10nm节点世代。另外，EBM-8000P/H、/M的电流密度为400A/cm²电子源支持45-14nm节点各代光掩模的批量生产。

在我们公司，我们还在开发适用于 2nm 代及以后设备的光刻设备，同时密切关注光刻技术的未来趋势，包括对 EUV 光刻和纳米压印技术的支持。

*1 关于 EBM-8000P 的性能 (414KB) PDF

*2 关于 EBM-9500PLUS 的性能 (861KB) PDF