• 1) 高速、高精度控制26万根电子束
• 2) 使用 MBF2 数据格式的曲线高速绘制复杂图案
• 3) 独立于数据复杂度，同时实现了高吞吐量和高精度光刻

投稿 多重电子束掩膜光刻设备　MBM™-2000PLUS は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

投稿 EPIREVO™ S8 200㎜单晶片式SiC外延生长设备 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

• 1) 通过50kV的加速电压实现了对比度出色的光刻效果
• 2) 通过载物台可变速移动和高电流密度(400A/cm2)实现了高吞吐量
• 3) 在广泛的技术节点领域实现了高COO（Cost of Ownership）

投稿 可变成型电子束掩膜光刻设备 EBM-8000P/H・EBM-8000P/M は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

• 1) 高速、高精度控制26万根电子束
• 2) 采用PLDC（Pixel Level Dose Correction）技术，实现了对比度出色的光刻效果
• 3) 独立于数据复杂度，同时实现了高吞吐量和高精度光刻

投稿 多重电子束掩膜光刻设备　MBM™-2000 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

• 1) 通过50kV的加速电压实现了对比度出色的光刻效果
• 2) 通过载物台可变速移动和高电流密度(1200A/cm²)实现了高吞吐量
• 3) 实现了高COO（Cost of Ownership）

投稿 可变成型电子束掩膜光刻设备 EBM-9500PLUS は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

在170µm的超厚膜上同时达到8.5µm/分的高速生长与±1%以下的优异均匀性｡

投稿 HT2000FD 单晶片式厚膜外延生长设备 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

投稿 EPIREVO™ S6 150㎜单晶片式SiC外延生长设备 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

投稿 EPIREVO™ G8 200㎜单片式GaN-on-Si MOCVD设备 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。