yy易游体育app EPIREVO™ S6 150mm单晶SiC外延长设备
EPIREVO™ S6 6” 单晶圆
碳化硅外延反应器
EPIREVO™ S6 实现150mm大直径晶片，50μm/h以上高速成膜，手工晶片高温转移生产效率，给出Si效率半导体相比，提高SiC效率半导体相比，提高效率，提高产品质量。
特殊积分
高中效率
- 渐进膜厚150μm
- 实际上超过50μm/hr的高速生长
- 相当于外径10μm的SiC成膜，每小时的实际性能
可比较的面内温度分布
- 100mm晶体一侧小于1℃
- 150mm晶体一侧小于2℃
高质量数量
- 膜厚分布2%以下（EE=3mm），质量密度4%以下（EE 6mm）均匀性优异
- 002/cm-2以下低密度
机械手动自动运动运输
- 从一箱到一箱的自动运输
