yy易游体育中国官方网站 EPIREVO™ G8 200mm 单片硅基氮化镓 MOCVD 设备
EPIREVO™ G8 8” 单晶圆
硅基氮化镓 MOCVD
基于EPIREVO™ G8的在200mm Si基板上高速、长时间、高质量的GaN沉积,从而实现高性能发光器件(LED)的低密度生产。请捐赠MOCVD设备。它已经从LED用途中移除,但也用于实际用途,实际上是对社会的低成本贡献。
特殊积分
高中效率
- 超过9μm/小时的GaN薄膜高速生长
- 200℃/min以上高速升温
高质量数量
- 200℃晶体一侧2度以内的温度分布
- 1100℃无裂纹,无硅重熔
低质量的书
- TMG利用率高20%以上
- 转移原位清洁度、性能、高性能率
