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这其实是一个优质的拓展场所高效日本单晶型高速外延长设备。
特别积分
核心技术
基本薄膜沉积技术原理
垂直方向的空气流动通过高速晶体旋转的结合，并在晶体片上形成薄而均匀的分界层（*）。
薄的浓度分界层，易于吸收原料，又可利用能源，并排放副产HCl。
下面最后一位使者提到，反英朝向右进步，原材料的物理利用效率20-30%，并且能够高速进步。
- 1. 过渡 SiHCl3 → SiCl2* ↓ + HCl ↑ 热分解，在基材表面吸收大量 SiCl2*
- 2. SiCl2* + H2 → Si ↓ + 2HCl ↑ 衬底表面，Si 晶体长度
- （※） 层的厚度是指状晶体一侧产生的薄膜的厚度。
卓越的水晶片高速旋转
额外速度提升和长距离速度提升
其结果是增加速率的增加，原材料利用效率的增加，以及拉伸薄膜的生长速率的增加。
（来源）我们公司(HT2000FD)
晶片高速旋转，炉内原料气输送效率高，表面原料气体结晶度高
Inko，未使用的添加剂材料的使用量，高中生进入劳动力市场的时间长度。
企业规范(HT2000FD)
| 晶体片尺寸 | 200mmφ |
|---|---|
| 加热方式 | 背面电固体加热 |
| 加热温度 | 800～1,150℃ |
| 水晶片速度 | 300～900rpm |
| 压力 | 93(700)～133(100)kPa(托) |
| 使用类型 | SiHCl3、SiH2Cl2、H2、HCl |
| 外部尺寸 | （机身1,396毫米（宽）x 2,276毫米（深）x 2,350毫米（高）） |
| 设备重量 | (机身约2,300公斤) |
kenshuro 线条画
延伸生产的长远发展是控制技术的核心技术，水晶馆水晶生产的长远发展是核心技术。本公司的Si外长期安装“HT2000FD”、GaN on Si外长期安装“EPIREVO™ G8”、SiC外长期安装“EPIREVO™ S6”和“EPIREVO™ S8”的高速车削技术 *我们已停止生产“HT2000FD”（由我们提供）。
