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yy易游体育中国官方网站 电子束照明装置

最先进的半导体结构,永不打开的微电子电路原板光学膜版。

特别积分

关键技术

整粒米到浓米

电子束膜光学雕刻设计与物理学、电气工程、机械工程、控制工程、信息科学与工程、计算工程、化学等相结合,这是一个密集的多技术体系。换句话说,电子束、薄膜、光学雕刻等都已融入到各类尖端技术中。

从“纳(10000线)”代表的微细技术,到“胖子(10,000日元)”大数计算技术。科技独特视角,挑战精神,概括“未来桥”,这句话的名字是原始动机,现实世界的梦想,促进工业产业和社会和谐的范畴。

关键技术

主要收藏列表

该公司的生产人员

2012 年大河内纪念特别制作
年、月、日 2013 年 3 月 22 日
姓名 2012年大河内纪念特别制作
公司名称 “LSI原板生产电子通量光学雕刻设备的开发与实现”
主要实体 大河内纪念协会、公益商品公司
2008年度广东区发明奖发明发明发子
年、月、日 2008 年 11 月 5 日
名称 2008年度广东区发明奖发明发明发卡
公司名称 “提高通过过程中低散射光的电子通量光学雕刻的精度”
主要实体 法人东京分公司
2007年文部科学大臣科学技术表彰(开幕部分)(原创科学技术成果)
年、月、日 2007 年 4 月 17 日
姓名 2007年文部科学省科学技术奖表彰(开幕部分)(原创科学技术成果奖)
公司名称 开启电束屏蔽膜光刻装置方法效率技术
主要实体 文部科学省
2006年国家工贸部优秀奖
年、月、日 2006 年 6 月 19 日
姓名 2006年国家工贸部优秀奖
公司名称 电子通量光雕刻设备接近效率技术
主要实体 企业组织发明协会

本公司员工主要学习资料回顾

电子多束掩模刻录机的最新进展和未来
发表年份 2023
谚语名称 电子多束掩膜刻录机的最新进展和未来
出版物 日本应用物理学杂志,卷。 62、SG0803(2023)
多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中电阻表面电荷物理模型的研究
发表年份 2021
谚语名称 多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中光刻胶表面电荷物理模型的研究
出版物 微/纳米图案、材料与计量学杂志,卷。 20, 041404 (2021)
多光束掩模写入器MBM-1000
发表年份 2018
谚语名称 多光束掩模写入器MBM-1000
出版物 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 17, 031205 (2018)
修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果
发表年份 2016
谚语名称 修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果
出版物 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 15, 021012 (2016)
考虑抗蚀剂开发过程的掩模写入的邻近效应校正
发表年份 2009
谚语名称 考虑抗蚀剂开发过程的掩模写入的邻近效应校正
出版物 日本应用物理学杂志,第 48 卷,095004 (2009)
30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术(日语)
发表年份 2009
谚语名称 30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术(日语)
出版物 日本研磨技术学会会刊,卷。 53, 340 (2009)
大规模集成电路制造工艺中出现的关键尺寸误差的高精度校正:基于图案的模型
发表年份 2009
谚语名称 大规模集成电路制造工艺中出现的关键尺寸误差的高精度校正:基于图案的模型
出版物 日本应用物理学杂志,第 48 卷,046508 (2009)
考虑大规模集成电路制造工艺的顺序,对关键尺寸误差进行高精度校正
发表年份 2008
谚语名称 考虑大规模集成电路制造工艺的顺序,对关键尺寸误差进行高精度校正
出版物 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 7、043008(2008)
精确修正LSI制造工艺中出现的关键尺寸误差
发表年份 2008
谚语名称 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 7、023006(2008)
出版物 微纳光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,第 7 卷,023006
全局临界尺寸校正:一、雾化效应校正
发表年份 2007
谚语名称 全局临界尺寸校正:一、雾化效应校正
出版物 日本应用物理学杂志,第 46 卷,3359 (2007)
全局临界尺寸校正:II
发表年份 2007
谚语名称 全局临界尺寸校正:II
出版物 日本应用物理学杂志,第 46 卷,3368 (2007)
掩模写入的高精度邻近效应校正
发表年份 2007
谚语名称 掩模写入的高精度邻近效应校正
出版物 日本应用物理学杂志,第 46 卷,826 (2007)

本公司的员工和其他受版权保护的作品

《电子和谐连接手册(第4版)》,日刊工业报纸(部分作者)
发行年份 2021
姓名 《电子和谐连接手册(第4版)》,日刊工业报纸(部分作者)
分类 预订
“我们公司是最好的!”,《真空杂志》2019年7月号,日本真空工业协会
发行年份 2019
名称 “我们公司是最好的!”,《真空杂志》2019年7月号,日本真空工业协会
分类 采访文
《世界电子捆绑复印机极致市场占有率》《NEDO Web技术相关资料》、新能源产业技术大会开放机制》
发行年份 2012
名称 《世界电子束复印机的极致市场占有率》《NEDO Web技术相关资料》、新能源产业技术装配开口机结构》
分类
电子捆绑处理的最新趋势
《光学技术通讯》2010年6月48期
第266-275页
发行年份 2010
名称 电子捆绑处理的最新趋势
《光学技术通讯》2010年6月48期
第266-275页
分类 预订
《背诵》(东芝季刊)技术发展了多久?想象力丰富,技术创新演讲第八期“中断LSI未来电子散射演讲,实现现实方法有效性”(总第七场)
发行年份 2007-2008
名称 《背诵》(东芝季刊)技术发展了多久?想象力丰富,技术创新演讲第八期“中断LSI未来电子散射演讲,实现现实方法有效性”(总第七场)
分类 采访报道
杂士《发明》如何发明臇访国家发明奖获奖者2006经济产丧部长发明奖雍明电子联光设计设计的设计补效率
发行年份 2006
名称 杂士《发明》如何发明臇访国家发明奖获奖者2006经济产丧部长发明奖龙明电子联光设计设计的设计补效率
分类 采访报道
用于 ULSI 的亚半微米光刻
(剑桥大学出版社)
作业:44 邻近效应校正
发行年份 2000
名称 用于 ULSI 的亚半微米光刻
(剑桥大学出版社)
作业:44 邻近效应校正
分类 预订
《电子捆绑传送工具》(第3版)(日刊工业新干社)
分享部分:152 接近效果及其费用
发行年份 1998
名称 《电子束处理工具》(第3版)(日刊工业新干社)
分配:152 接近效果及其费用
分类 预订
该公司生产人员
年/月/日 姓名 公司名称 主要实体
2013 年 3 月 22 日 2012年大河内纪念特别制作 “LSI原板生产电子通量光学雕刻设备的开发与实现” 大河内纪念协会、公益商品公司
2008 年 11 月 5 日 2008年度广东省发明奖发明创造值 “利用传输中的低散射光提高电子通量光学雕刻的精度” 法人东京分公司
2007 年 4 月 17 日 2007年文部科学大臣科学技术成果表彰(开幕部分)(原创科学技术成果奖) 开启电束屏蔽膜光刻设备方法效率技术 文部科学省
2006 年 6 月 19 日 2006年国家工贸部优秀奖 电子通量光雕刻设备方法效率技术 企业组织发明协会
该公司员工主要学习资料回顾
发表年份 谚语名称 出版物
2023 电子多束掩膜刻录机的最新进展和未来 日本应用物理学杂志,卷。 62、SG0803(2023)
2021 多光束掩模写入器和单变形状光束写入器中电阻表面电荷物理模型的研究 微/纳米图案、材料与计量学杂志,卷。 20, 041404 (2021)
2018 多光束掩模写入器MBM-1000 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 17, 031205 (2018)
2016 修正可变形状光束掩模写入器的抗蚀剂加热效果 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 15, 021012 (2016)
2009 考虑抗蚀剂开发过程的掩模写入的邻近效应校正 日本应用物理学杂志,第48卷,095004
2009 30 nm 及以下可变形状光束的 EB 写入技术(日语) 日本研磨技术学会会刊,卷。 53, 340 (2009)
2009 大规模集成电路制造工艺中出现的关键尺寸误差的高精度校正:基于图案的模型 日本应用物理学杂志,第 48 卷,046508 (2009)
2008 考虑大规模集成电路制造工艺的顺序,对关键尺寸误差进行高精度校正 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 7、043008(2008)
2008 精确修正LSI制造工艺中出现的关键尺寸误差 微/纳米光刻、MEMS 和 MOEMS 杂志,卷。 7、023006(2008)
2007 全局临界尺寸校正:一、雾化效应校正 日本应用物理学杂志,第 46 卷,3359 (2007)
2007 全局临界尺寸校正:II 日本应用物理学杂志,第 46 卷,3368 (2007)
2007 掩模写入的高精度邻近效应校正 日本应用物理学杂志,第 46 卷,826 (2007)
本公司的员工和其他受版权保护的作品
发行年份 名称 分类
2021 《电子电源(第4版)》,日刊工业报纸(部分作者) 预订
2019 “我们公司是最好的!”,《真空杂志》2019年7月号,日本真空工业协会 采访报道
2012 《世界电子捆绑复印机极致市场占有率》《NEDO Web技术相关资料》、新能源产业技术组合开放机制》 采访报道
2010 电子捆绑处理的最新趋势
《光学技术通讯》2010年6月48期
第266-275页
预订
2007-2008 ゑ背诵》(东芝季刊)技术发展了多久?想象力丰富,技术创新演讲第八期“中断LSI未来电子散射演讲,实现现实方法有效性”(总第七场) 采访报道
2006 杂士《发明》如何进行发明采访全国发明奖获得者深度2006经济产丧丧部长发明奖珑明电子联光术设计设计的设计效率补偿​​术 采访报道
2000 用于 ULSI 的亚半微米光刻
(剑桥大学出版社)
指定部分:44 邻近效应校正
预订
1998 《电子捆绑传送工具》(第3版)(日刊工业新干社) 预订

健次郎线

多电束光雕配备高速、高精度控制26万电极电束,高产能、高精度光仿生产,支持先进技术变点光雕。

MBM™-2000支持3nm点系列,MBM™-2000PLUS支持3nm+点系列光学遮光量。

EBM系列电束光雕刻设计包括可变成型光束方法、变速控制系统、高电流密度电源和高COO(拥有成本)束光雕刻设备。

EBM-9500PLUS使用电流密度1200A/cm2,支持7+/5nm点制排,EBM-8000P/H,/M使用电流密度400A/cm2,支持45-14nm多点串联遮光膜数量。

该公司专注于EUV光刻、日本和美国技术,支持光刻技术的未来,同时将继续开发2nm系列和高档光刻设备。

kenshuro 线条画
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*1 关于 EBM-8000P 的性能 (414KB)PDF

*2 关于 EBM-9500PLUS 的性能 (861KB)PDF

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